Транзистор FQB16N25CTM
FQB16N25CTM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 139 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.27 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 41 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 130 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 170 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQB16N25CTM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQA16N25C |
PTH |
N |
180 |
250 |
30 |
4 |
17.8 |
0.27 |
41 |
130 |
170 |
150 |
TO-3P |
| FQI16N25CTU |
PTH |
N |
139 |
250 |
30 |
4 |
15.6 |
0.27 |
41 |
130 |
170 |
150 |
I2PAK |
| SIHH14N60E |
SMD |
N |
147 |
600 |
30 |
4 |
16 |
0.255 |
41 |
21 |
74 |
150 |
PowerPAK8X8 |