Транзистор FQB19N20CTM
FQB19N20CTM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 139 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 19 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.17 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 40.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 150 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 195 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQB19N20CTM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQI19N20CTU |
PTH |
N |
139 |
200 |
30 |
4 |
19 |
0.17 |
40.5 |
150 |
195 |
150 |
I2PAK |
| FQP19N20CTSTU |
PTH |
N |
139 |
200 |
30 |
4 |
19 |
0.17 |
40.5 |
150 |
195 |
150 |
TO-220 |