Транзистор FQB1P50TM
FQB1P50TM - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 63 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 10.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 11 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 40 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQB1P50TM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQI1P50TU |
PTH |
P |
63 |
500 |
30 |
5 |
1.5 |
10.5 |
11 |
25 |
40 |
150 |
I2PAK |
| FQP1P50 |
PTH |
P |
63 |
500 |
30 |
5 |
1.5 |
10.5 |
11 |
25 |
40 |
150 |
TO-220 |