Транзистор FQB25N33TM
FQB25N33TM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 250 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 330 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 25 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.23 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 58 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 100 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 290 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQB25N33TM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SIHG25N40D |
PTH |
N |
278 |
400 |
30 |
5 |
25 |
0.17 |
44 |
57 |
177 |
150 |
TO-247AC |
| SIHP25N40D |
PTH |
N |
278 |
400 |
30 |
5 |
25 |
0.17 |
44 |
57 |
177 |
150 |
TO-220AB |