Транзистор FQB27N25TM_AM002
FQB27N25TM_AM002 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 180 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 25.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.11 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 50 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 270 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 360 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQB27N25TM_AM002 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQI27N25TU |
PTH |
N |
180 |
250 |
30 |
5 |
25.5 |
0.11 |
50 |
270 |
360 |
150 |
I2PAK |