Транзистор FQB27N25TM_F085
FQB27N25TM_F085 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 417 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 25.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.131 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 45 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQB27N25TM_F085 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOK42S60 |
PTH |
N |
417 |
600 |
30 |
- |
39 |
0.099 |
40 |
53 |
135 |
150 |
TO-247 |
| AOT42S60 |
PTH |
N |
417 |
600 |
30 |
- |
37 |
0.109 |
40 |
53 |
135 |
150 |
TO-220 |