Транзистор FQB2N90TM
FQB2N90TM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 85 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 900 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 7.2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 12 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 45 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQB2N90TM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQI2N90TU |
PTH |
N |
85 |
900 |
30 |
5 |
2.2 |
7.2 |
12 |
35 |
45 |
150 |
I2PAK |