Транзистор FQB33N10
FQB33N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 127 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 33 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.052 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 38 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FQB33N10 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQA33N10 |
PTH |
N |
163 |
100 |
25 |
4 |
36 |
0.052 |
38 |
195 |
320 |
175 |
TO-3P |
| FQB33N10TM |
SMD |
N |
127 |
100 |
25 |
4 |
33 |
0.052 |
38 |
195 |
320 |
175 |
D2PAK |
| FQP33N10 |
PTH |
N |
127 |
100 |
25 |
4 |
33 |
0.052 |
38 |
- |
- |
175 |
TO-220 |
| IXTA56N15T |
SMD |
N |
300 |
150 |
30 |
4.5 |
56 |
0.036 |
34 |
100 |
- |
175 |
TO-263 |
| IXTP42N15T |
PTH |
N |
200 |
150 |
30 |
4.5 |
42 |
0.045 |
21 |
100 |
- |
175 |
TO-220 |
| IXTP44N10T |
PTH |
N |
130 |
100 |
30 |
4.5 |
44 |
0.03 |
27.4 |
60 |
- |
175 |
TO-220 |
| IXTP56N15T |
PTH |
N |
300 |
150 |
30 |
4.5 |
56 |
0.036 |
34 |
100 |
- |
175 |
TO-220 |
| IXTY44N10T |
SMD |
N |
130 |
100 |
30 |
4.5 |
44 |
0.03 |
27.4 |
60 |
- |
175 |
TO-252 |
| SM1A01NFS |
PTH |
N |
136 |
100 |
25 |
4 |
53 |
0.022 |
37 |
13 |
270 |
175 |
TO-220 |
| SM1A01NSF |
PTH |
N |
136 |
100 |
25 |
4 |
53 |
0.022 |
37 |
13 |
270 |
175 |
TO-220 |