Справочник электронных компонентов

Транзистор FQB34N20L

FQB34N20L - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-263

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 180 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 31 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.075 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 55 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQB34N20L можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FDB44N25	SMD	N	307	250	30	-	44	0.069	47	-	-	150	TO-263
FDB52N20	SMD	N	357	200	30	-	52	0.049	49	-	-	150	TO-263
FDP39N20	PTH	N	251	200	30	5	39	0.066	38	-	-	150	TO-220
FDP51N25	PTH	N	320	250	30	5	51	0.06	55	-	-	150	TO-220
FDP52N20	PTH	N	357	200	30	5	52	0.049	49	-	-	150	TO-220
FQA34N20L	PTH	N	210	200	20	2	34	0.075	55	520	400	150	TO-3P
FQB34N20LTM	SMD	N	180	200	20	2	31	0.075	55	520	400	150	D2PAK
FQP34N20L	PTH	N	180	200	20	2	31	0.075	55	520	400	150	TO-220