Транзистор FQB34P10
FQB34P10 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 155 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 33.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.06 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 85 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FQB34P10 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB34P10TM |
SMD |
P |
155 |
100 |
25 |
4 |
33.5 |
0.06 |
85 |
250 |
730 |
175 |
D2PAK |
| FQB34P10TM_F085 |
SMD |
P |
155 |
100 |
25 |
- |
33.5 |
0.06 |
85 |
- |
- |
175 |
TO-263 |
| FQI34P10TU |
PTH |
P |
155 |
100 |
25 |
4 |
33.5 |
0.06 |
85 |
250 |
730 |
175 |
I2PAK |