Транзистор FQB50N06LTM
FQB50N06LTM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 121 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 52.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.021 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 24.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 380 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 445 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FQB50N06LTM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQI50N06LTU |
PTH |
N |
121 |
60 |
20 |
2.5 |
52.4 |
0.021 |
24.5 |
380 |
445 |
175 |
I2PAK |