Транзистор FQB50N06TM
FQB50N06TM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 120 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.022 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 31 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 105 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 440 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FQB50N06TM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQI50N06TU |
PTH |
N |
120 |
60 |
25 |
4 |
50 |
0.022 |
31 |
105 |
440 |
175 |
I2PAK |