Notice: session_start(): ps_files_cleanup_dir: opendir(/tmp) failed: Permission denied (13) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4
Warning: session_start(): Session cache limiter cannot be sent after headers have already been sent (output started at /home/c/ck59960/public_html/common.php:4) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4 Транзистор FQB5N60TM полевой MOSFET, его характеристикиСправочник электронных компонентов
Транзистор FQB5N60TM
FQB5N60TM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 120 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 16 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 45 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 80 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц