Транзистор FQB6N80
FQB6N80 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 158 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.95 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 31 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQB6N80 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQA6N80 |
PTH |
N |
185 |
800 |
30 |
5 |
6.3 |
1.95 |
31 |
70 |
125 |
150 |
TO-3P |
| FQA7N80C |
PTH |
N |
198 |
800 |
30 |
5 |
7 |
1.9 |
27 |
100 |
120 |
150 |
TO-3P |
| FQA7N80C_F109 |
PTH |
N |
198 |
800 |
30 |
- |
7 |
1.9 |
27 |
- |
- |
150 |
TO-3PN |
| FQB6N80TM |
SMD |
N |
158 |
800 |
30 |
5 |
5.8 |
1.95 |
31 |
70 |
125 |
150 |
D2PAK |
| FQP6N80 |
PTH |
N |
158 |
800 |
30 |
5 |
5.8 |
1.95 |
31 |
70 |
125 |
150 |
TO-220 |
| FQP7N80C |
PTH |
N |
167 |
800 |
30 |
5 |
6.6 |
1.9 |
27 |
- |
- |
150 |
TO-220 |
| PJZ9NA90 |
PTH |
N |
240 |
900 |
30 |
4 |
9 |
1.4 |
31 |
31 |
143 |
150 |
TO-3PL |
| STB13N80K5 |
SMD |
N |
190 |
800 |
30 |
5 |
12 |
0.45 |
29 |
16 |
50 |
150 |
D2PAK |
| STP13N80K5 |
PTH |
N |
190 |
800 |
30 |
5 |
12 |
0.45 |
29 |
16 |
50 |
150 |
TO-220 |
| STP15N95K5 |
PTH |
N |
170 |
950 |
30 |
5 |
12 |
0.5 |
30 |
20 |
65 |
150 |
TO-220 |
| STW13N80K5 |
PTH |
N |
190 |
800 |
30 |
5 |
12 |
0.45 |
29 |
16 |
50 |
150 |
TO-247 |
| STW15N95K5 |
PTH |
N |
170 |
950 |
30 |
5 |
12 |
0.5 |
30 |
20 |
65 |
150 |
TO-247 |