Справочник электронных компонентов

Транзистор FQB7N60

FQB7N60 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор FQB7N60 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AFN10N60T220T PTH N 150 600 30 4 10 1 19.38 60.4 135 150 TO-220
AFN10N65T220T PTH N 156 650 30 4 10 1 20 73.67 128.8 150 TO-220
AFN12N60T220T PTH N 225 600 30 4 12 0.75 24.35 71.67 413 150 TO-220
AFN12N65T220T PTH N 225 650 30 4 12 0.8 24.15 61.67 155 150 TO-220
CDM22010-650 PTH N 156 650 30 4 10 1 20 33 129 150 TO-220
FDP12N60NZ PTH N 240 600 30 5 12 0.65 26 - - 150 TO-220
FQA7N60 PTH N 152 600 30 5 7.7 1 29 80 135 150 TO-3P
FQB7N60TM SMD N 142 600 30 5 7.4 1 29 80 135 150 D2PAK
FQI7N60 PTH N 142 600 30 - 7.4 1 29 - - 150 TO-262
FQI7N60TU PTH N 142 600 30 5 7.4 1 29 80 135 150 I2PAK
FQP7N60 PTH N 142 600 30 5 7.4 1 29 80 135 150 TO-220
HFP10N60S PTH N 156 600 30 4 9.5 0.8 29 69 145 150 TO-220
HFP10N60U PTH N 164 600 30 4.5 9.5 0.8 29 70 140 150 TO-220
HFP10N65S PTH N 156 650 30 4 9.5 0.98 29 69 145 150 TO-220
HFP10N65U PTH N 164 650 30 4.5 9.5 0.98 29 70 140 150 TO-220
HFW10N60S SMD N 156 600 30 4 9.5 0.8 29 69 145 150 D2PAK
KF10N60P PTH N 178 600 30 - 10 0.59 26 35 140 150 TO-220AB
STB11NM60FD-1 PTH N 160 600 30 5 11 0.45 28 16 350 150 I2PAK
STB11NM60FDT4 SMD N 160 600 30 5 11 0.45 28 16 350 150 D2PAK
STB13N80K5 SMD N 190 800 30 5 12 0.45 29 16 50 150 D2PAK
STP13N80K5 PTH N 190 800 30 5 12 0.45 29 16 50 150 TO-220
STW13N80K5 PTH N 190 800 30 5 12 0.45 29 16 50 150 TO-247
TK15J60T PTH N 170 600 30 - 15 0.3 21 37 2300 150 TO-3P
TMP10N65 PTH N 198 650 30 4 9.5 0.76 28 33 203 150 TO-220
TMP9N60 PTH N 158 600 30 4 9 1 27 39 123 150 TO-220