Транзистор FQB7N65CTM

FQB7N65CTM - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: D2PAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 173 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 7 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.4 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 28 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 50 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 100 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQB7N65CTM можно заменить на:

Нет элементов для замены