Справочник электронных компонентов

Транзистор FQB8N60C

FQB8N60C - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор FQB8N60C можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
8N60P PTH N 147 600 30 - 8 1.2 26.8 58 93 150 TO-220
AFN10N60T220T PTH N 150 600 30 4 10 1 19.38 60.4 135 150 TO-220
AFN10N65T220T PTH N 156 650 30 4 10 1 20 73.67 128.8 150 TO-220
AFN12N60T220T PTH N 225 600 30 4 12 0.75 24.35 71.67 413 150 TO-220
AFN12N65T220T PTH N 225 650 30 4 12 0.8 24.15 61.67 155 150 TO-220
CDM22010-650 PTH N 156 650 30 4 10 1 20 33 129 150 TO-220
FDP12N60NZ PTH N 240 600 30 5 12 0.65 26 - - 150 TO-220
FQI8N60C PTH N 147 600 30 - 7.5 1.2 28 - - 150 TO-262
FQI8N60CTU PTH N 147 600 30 4 7.5 1.2 28 60.5 105 150 I2PAK
FQP8N60C PTH N 147 600 30 4 7.5 1.2 28 - - 150 TO-220
HFP8N60S PTH N 147 600 30 4.5 7.5 1.2 22 61 105 150 TO-220
HFP8N60U PTH N 150 600 30 4.5 7.5 1.2 22 50 100 150 TO-220
KF10N60P PTH N 178 600 30 - 10 0.59 26 35 140 150 TO-220AB
STB11NM60FD-1 PTH N 160 600 30 5 11 0.45 28 16 350 150 I2PAK
STB11NM60FDT4 SMD N 160 600 30 5 11 0.45 28 16 350 150 D2PAK
TK15J60T PTH N 170 600 30 - 15 0.3 21 37 2300 150 TO-3P
TMP10N65 PTH N 198 650 30 4 9.5 0.76 28 33 203 150 TO-220
TMP9N60 PTH N 158 600 30 4 9 1 27 39 123 150 TO-220