Транзистор FQB8P10
FQB8P10 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 65 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.53 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 12 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FQB8P10 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB8P10TM |
SMD |
P |
65 |
100 |
30 |
4 |
8 |
0.53 |
12 |
110 |
120 |
175 |
D2PAK |
| FQI8P10TU |
PTH |
P |
65 |
100 |
30 |
4 |
8 |
0.53 |
12 |
110 |
120 |
175 |
I2PAK |
| FQP8P10 |
PTH |
P |
65 |
100 |
30 |
4 |
8 |
0.53 |
12 |
- |
- |
175 |
TO-220 |