Транзистор FQB9P25
FQB9P25 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 120 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.62 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQB9P25 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQA9P25 |
PTH |
P |
150 |
250 |
30 |
5 |
10.5 |
0.62 |
29 |
- |
- |
150 |
TO-3PN |
| FQB9P25TM |
SMD |
P |
120 |
250 |
30 |
5 |
9.4 |
0.62 |
29 |
150 |
170 |
150 |
D2PAK |
| FQP9P25 |
PTH |
P |
120 |
250 |
30 |
5 |
9.4 |
0.62 |
29 |
- |
- |
150 |
TO-220 |