Справочник электронных компонентов

Транзистор FQD10N20L

FQD10N20L - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 51 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.6 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.36 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 13 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQD10N20L можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AM40N20-180P	PTH	N	300	200	20	1	34	0.18	7	14	80	150	TO-220AB
CS630A3H	PTH	N	83	200	30	4	9	0.28	13	21	90	150	TO-251
CS630A4H	SMD	N	83	200	30	4	9	0.28	13	21	90	150	TO-252
CS630A8H	PTH	N	83	200	30	4	9	0.28	13	21	90	150	TO-220AB
FQB10N20LTM	SMD	N	87	200	20	2	10	0.36	13	150	95	150	D2PAK
FQD10N20LTF	SMD	N	51	200	20	2	7.6	0.36	13	150	95	150	DPAK
FQD10N20LTM	SMD	N	51	200	20	2	7.6	0.36	13	150	95	150	DPAK
FQU10N20LTU	PTH	N	51	200	20	2	7.6	0.36	13	150	95	150	IPAK
SUM09N20-270	SMD	N	60	200	20	4	9	0.27	11	35	75	175	TO-263