Транзистор FQD12N20L
FQD12N20L - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 55 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.28 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 16 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD12N20L можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM40N20-180P |
PTH |
N |
300 |
200 |
20 |
1 |
34 |
0.18 |
7 |
14 |
80 |
150 |
TO-220AB |
| CS630A3H |
PTH |
N |
83 |
200 |
30 |
4 |
9 |
0.28 |
13 |
21 |
90 |
150 |
TO-251 |
| CS630A4H |
SMD |
N |
83 |
200 |
30 |
4 |
9 |
0.28 |
13 |
21 |
90 |
150 |
TO-252 |
| CS630A8H |
PTH |
N |
83 |
200 |
30 |
4 |
9 |
0.28 |
13 |
21 |
90 |
150 |
TO-220AB |
| FQD12N20LTF |
SMD |
N |
55 |
200 |
20 |
2 |
9 |
0.28 |
16 |
190 |
120 |
150 |
DPAK |
| FQD12N20LTM |
SMD |
N |
55 |
200 |
20 |
2 |
9 |
0.28 |
16 |
190 |
120 |
150 |
DPAK |
| SUM09N20-270 |
SMD |
N |
60 |
200 |
20 |
4 |
9 |
0.27 |
11 |
35 |
75 |
175 |
TO-263 |