Транзистор FQD12N20TM
FQD12N20TM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 55 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.28 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 18 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 120 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 125 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD12N20TM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQD12N20TF |
SMD |
N |
55 |
200 |
30 |
5 |
9 |
0.28 |
18 |
120 |
125 |
150 |
DPAK |
| FQU12N20TU |
PTH |
N |
55 |
200 |
30 |
5 |
9 |
0.28 |
18 |
120 |
125 |
150 |
IPAK |
| STN18D20 |
SMD |
N |
112 |
200 |
30 |
5 |
18 |
0.22 |
17.6 |
23 |
110 |
150 |
TO-252 |