Транзистор FQD16N15TM
FQD16N15TM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 55 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.16 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 23 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 115 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 145 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD16N15TM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB16N15TM |
SMD |
N |
108 |
150 |
25 |
4 |
16.4 |
0.16 |
23 |
115 |
145 |
175 |
D2PAK |
| FQP16N15 |
PTH |
N |
108 |
150 |
25 |
4 |
16.4 |
0.16 |
23 |
115 |
145 |
175 |
TO-220 |