Транзистор FQD18N20V2TM
FQD18N20V2TM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 83 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.14 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 20 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 133 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 200 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD18N20V2TM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQD18N20V2TF |
SMD |
N |
83 |
200 |
30 |
5 |
15 |
0.14 |
20 |
133 |
200 |
150 |
DPAK |
| FQP18N20V2 |
PTH |
N |
123 |
200 |
30 |
5 |
18 |
0.14 |
20 |
133 |
200 |
150 |
TO-220 |