Транзистор FQD19N10TM
FQD19N10TM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 19 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 150 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 165 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD19N10TM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB19N10TM |
SMD |
N |
75 |
100 |
25 |
4 |
19 |
0.1 |
19 |
150 |
165 |
175 |
D2PAK |
| FQD19N10TF |
SMD |
N |
50 |
100 |
25 |
4 |
15.6 |
0.1 |
19 |
150 |
165 |
150 |
DPAK |
| FQP19N10 |
PTH |
N |
75 |
100 |
25 |
4 |
19 |
0.1 |
19 |
150 |
165 |
175 |
TO-220 |