Транзистор FQD24N08TM
FQD24N08TM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 19.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.06 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 19 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 105 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 210 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD24N08TM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB24N08TM |
SMD |
N |
75 |
80 |
25 |
4 |
24 |
0.06 |
19 |
105 |
210 |
175 |
D2PAK |
| FQD24N08TF |
SMD |
N |
50 |
80 |
25 |
4 |
19.6 |
0.06 |
19 |
105 |
210 |
150 |
DPAK |