Транзистор FQD2N100
FQD2N100 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 9 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 12 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD2N100 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQD2N100TF |
SMD |
N |
50 |
1000 |
30 |
5 |
1.6 |
9 |
12 |
30 |
40 |
150 |
DPAK |
| FQD2N100TM |
SMD |
N |
50 |
1000 |
30 |
5 |
1.6 |
9 |
12 |
30 |
40 |
150 |
DPAK |
| FQU2N100 |
PTH |
N |
50 |
1000 |
30 |
- |
1.6 |
9 |
12 |
- |
- |
150 |
TO-251 |
| FQU2N100TU |
PTH |
N |
50 |
1000 |
30 |
5 |
1.6 |
9 |
12 |
30 |
40 |
150 |
IPAK |