Notice: session_start(): ps_files_cleanup_dir: opendir(/tmp) failed: Permission denied (13) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4
Warning: session_start(): Session cache limiter cannot be sent after headers have already been sent (output started at /home/c/ck59960/public_html/common.php:4) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4 Транзистор FQD2N50TM полевой MOSFET, его характеристикиСправочник электронных компонентов
Транзистор FQD2N50TM
FQD2N50TM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: DPAK
Основные характеристики:
Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.6 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 5.3 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 6 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 30 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц