Справочник электронных компонентов

Транзистор FQD2N80

FQD2N80 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор FQD2N80 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
FQB2N80TM SMD N 85 800 30 5 2.4 6.3 12 30 45 150 D2PAK
FQD2N80TF SMD N 50 800 30 5 1.8 6.3 12 30 45 150 DPAK
FQD2N80TM SMD N 50 800 30 5 1.8 6.3 12 30 45 150 DPAK
FQP2N80 PTH N 85 800 30 5 2.4 6.3 12 - - 150 TO-220
FQU2N80 PTH N 50 800 30 5 1.8 6.3 12 30 45 150 IPAK
FQU2N80TU PTH N 50 800 30 5 1.8 6.3 12 30 45 150 IPAK
KQB2N80 SMD N 85 800 30 5 2.4 6.3 12 30 45 150 TO-263
STD3N80K5 SMD N 60 800 30 5 2.5 3.5 9.5 7.5 14 150 DPAK
STD4N80K5 SMD N 60 800 30 5 3 2.5 10.5 15 18 150 DPAK
STP3N80K5 PTH N 60 800 30 5 2.5 3.5 9.5 7.5 14 150 TO-220
STP4N80K5 PTH N 60 800 30 5 3 2.5 10.5 15 18 150 TO-220
STU3N80K5 PTH N 60 800 30 5 2.5 3.5 9.5 7.5 14 150 IPAK
STU4N80K5 PTH N 60 800 30 5 3 2.5 10.5 15 18 150 IPAK
TK2P90E SMD N 80 900 30 4 2 5.9 12 25 40 150 DPAK
TK3P80E SMD N 80 800 30 4 3 4.9 12 25 40 150 DPAK