Транзистор FQD2P40TM
FQD2P40TM - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 38 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 400 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.56 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 6.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 10 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 33 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 45 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD2P40TM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB2P40TM |
SMD |
P |
63 |
400 |
30 |
5 |
2 |
6.5 |
10 |
33 |
45 |
150 |
D2PAK |
| FQD2P40TF |
SMD |
P |
38 |
400 |
30 |
5 |
1.56 |
6.5 |
10 |
33 |
45 |
150 |
DPAK |