Транзистор FQD30N06LTM
FQD30N06LTM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 44 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 24 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.039 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 15 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 210 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 270 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD30N06LTM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB30N06LTM |
SMD |
N |
79 |
60 |
20 |
2.5 |
32 |
0.035 |
15 |
210 |
270 |
175 |
D2PAK |
| FQD30N06LTF |
SMD |
N |
44 |
60 |
20 |
2.5 |
24 |
0.039 |
15 |
210 |
270 |
150 |
DPAK |
| FQU30N06LTU |
PTH |
N |
44 |
60 |
20 |
2.5 |
24 |
0.039 |
15 |
210 |
270 |
150 |
IPAK |