Транзистор FQD3N60TM
FQD3N60TM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3.6 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 10 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 30 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 50 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD3N60TM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQU3N60 |
PTH |
N |
50 |
600 |
30 |
5 |
2.4 |
3.6 |
10 |
30 |
50 |
150 |
IPAK |
| FQU3N60TU |
PTH |
N |
50 |
600 |
30 |
5 |
2.4 |
3.6 |
10 |
30 |
50 |
150 |
IPAK |
| STD3N80K5 |
SMD |
N |
60 |
800 |
30 |
5 |
2.5 |
3.5 |
9.5 |
7.5 |
14 |
150 |
DPAK |
| STP3N80K5 |
PTH |
N |
60 |
800 |
30 |
5 |
2.5 |
3.5 |
9.5 |
7.5 |
14 |
150 |
TO-220 |
| STU3N80K5 |
PTH |
N |
60 |
800 |
30 |
5 |
2.5 |
3.5 |
9.5 |
7.5 |
14 |
150 |
IPAK |