Транзистор FQD3P20TM
FQD3P20TM - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 37 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.7 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 6 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 45 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD3P20TM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB3P20TM |
SMD |
P |
52 |
200 |
30 |
5 |
2.8 |
2.7 |
6 |
35 |
45 |
150 |
D2PAK |
| FQD3P20TF |
SMD |
P |
37 |
200 |
30 |
5 |
2.4 |
2.7 |
6 |
35 |
45 |
150 |
DPAK |
| FQI3P20TU |
PTH |
P |
52 |
200 |
30 |
5 |
2.8 |
2.7 |
6 |
35 |
45 |
150 |
I2PAK |
| FQU3P20TU |
PTH |
P |
37 |
200 |
30 |
5 |
2.4 |
2.7 |
6 |
35 |
45 |
150 |
IPAK |