Транзистор FQD4N20LTM
FQD4N20LTM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.35 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 4 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 70 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 36 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD4N20LTM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB4N20LTM |
SMD |
N |
45 |
200 |
20 |
2 |
3.8 |
1.35 |
4 |
70 |
36 |
150 |
D2PAK |