Транзистор FQD4N20TF
FQD4N20TF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.4 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 50 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 35 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD4N20TF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB4N20TM |
SMD |
N |
45 |
200 |
30 |
5 |
3.6 |
1.4 |
5 |
50 |
35 |
150 |
D2PAK |
| FQI4N20TU |
PTH |
N |
45 |
200 |
30 |
5 |
3.6 |
1.4 |
5 |
50 |
35 |
150 |
I2PAK |
| FQU4N20TU |
PTH |
N |
30 |
200 |
30 |
5 |
3 |
1.4 |
5 |
50 |
35 |
150 |
IPAK |