Справочник электронных компонентов

Транзистор FQD4N25TM

FQD4N25TM - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: DPAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 37 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 3 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.75 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 4.3 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 45 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 35 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQD4N25TM можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FQB4N25TM	SMD	N	52	250	30	5	3.6	1.75	4.3	45	35	150	D2PAK
FQD4N25TF	SMD	N	37	250	30	5	3	1.75	4.3	45	35	150	DPAK
FQI4N25TU	PTH	N	52	250	30	5	3.6	1.75	4.3	45	35	150	I2PAK
FQU4N25TU	PTH	N	37	250	30	5	3	1.75	4.3	45	35	150	IPAK