Транзистор FQD4P25TM
FQD4P25TM - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 45 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 10.3 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 60 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 65 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD4P25TM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB4P25TM |
SMD |
P |
75 |
250 |
30 |
5 |
4 |
2.1 |
10.3 |
60 |
65 |
150 |
D2PAK |
| FQD4P25TF |
SMD |
P |
45 |
250 |
30 |
5 |
3.1 |
2.1 |
10.3 |
60 |
65 |
150 |
DPAK |
| FQP4P25 |
PTH |
P |
75 |
250 |
30 |
5 |
4 |
2.1 |
10.3 |
60 |
65 |
150 |
TO-220 |