Справочник электронных компонентов

Транзистор FQD4P40

FQD4P40 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: DPAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 400 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.7 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3.1 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 18 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 55 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 80 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQD4P40 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FQB4P40TM	SMD	P	85	400	30	5	3.5	3.1	18	55	80	150	D2PAK
FQD4P40TF	SMD	P	50	400	30	5	2.7	3.1	18	55	80	150	DPAK
FQD4P40TM	SMD	P	50	400	30	5	2.7	3.1	18	55	80	150	DPAK
FQI4P40TU	PTH	P	85	400	30	5	3.5	3.1	18	55	80	150	I2PAK
KQB4P40	SMD	P	85	400	30	5	3.5	3.1	18	55	80	150	TO-263