Транзистор FQD5N15TM
FQD5N15TM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.8 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 5.4 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 45 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 40 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD5N15TM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB5N15TM |
SMD |
N |
54 |
150 |
25 |
4 |
5.4 |
0.8 |
5.4 |
45 |
40 |
175 |
D2PAK |
| FQD5N15TF |
SMD |
N |
30 |
150 |
25 |
4 |
4.3 |
0.8 |
5.4 |
45 |
40 |
150 |
DPAK |
| FQI5N15TU |
PTH |
N |
54 |
150 |
25 |
4 |
5.4 |
0.8 |
5.4 |
45 |
40 |
175 |
I2PAK |