Транзистор FQD5N40TM
FQD5N40TM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 45 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 400 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.6 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 10 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 60 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 60 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD5N40TM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB5N40TM |
SMD |
N |
70 |
400 |
30 |
5 |
4.5 |
1.6 |
10 |
60 |
60 |
150 |
D2PAK |
| FQD5N40TF |
SMD |
N |
45 |
400 |
30 |
5 |
3.4 |
1.6 |
10 |
60 |
60 |
150 |
DPAK |
| FQI5N40TU |
PTH |
N |
70 |
400 |
30 |
5 |
4.5 |
1.6 |
10 |
60 |
60 |
150 |
I2PAK |
| FQU5N40TU |
PTH |
N |
45 |
400 |
30 |
5 |
3.4 |
1.6 |
10 |
60 |
60 |
150 |
IPAK |
| SIHD5N50D |
SMD |
N |
104 |
500 |
30 |
5 |
5.3 |
1.5 |
10 |
11 |
34 |
150 |
TO-252 |
| SIHU5N50D |
PTH |
N |
104 |
500 |
30 |
5 |
5.3 |
1.5 |
10 |
11 |
34 |
150 |
TO-251 |