Транзистор FQD5N50CTM
FQD5N50CTM - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 48 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.4 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 18 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 46 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 80 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD5N50CTM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB5N50CTM |
SMD |
N |
73 |
500 |
30 |
4 |
5 |
1.4 |
18 |
46 |
80 |
150 |
D2PAK |
| FQD5N50CTF |
SMD |
N |
48 |
500 |
30 |
4 |
4 |
1.4 |
18 |
46 |
80 |
150 |
DPAK |
| FQI5N50CTU |
PTH |
N |
73 |
500 |
30 |
4 |
5 |
1.4 |
18 |
46 |
80 |
150 |
I2PAK |
| FQU5N50CTU |
PTH |
N |
48 |
500 |
30 |
4 |
4 |
1.4 |
18 |
46 |
80 |
150 |
IPAK |
| SIHD6N62E |
SMD |
N |
78 |
620 |
30 |
4 |
6 |
0.9 |
17 |
10 |
36 |
150 |
TO-252 |
| SIHU6N62E |
PTH |
N |
78 |
620 |
30 |
4 |
6 |
0.9 |
17 |
10 |
36 |
150 |
TO-251 |
| STD12N50M2 |
SMD |
N |
85 |
500 |
30 |
4 |
10 |
0.38 |
15 |
10.5 |
33 |
150 |
DPAK |