Справочник электронных компонентов

Транзистор FQD5P10TF

FQD5P10TF - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: DPAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 25 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.6 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.05 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 6.3 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 70 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 70 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQD5P10TF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FQB5P10TM	SMD	P	40	100	30	4	4.5	1.05	6.3	70	70	175	D2PAK
FQD5P10TM	SMD	P	25	100	30	4	3.6	1.05	6.3	70	70	150	DPAK
FQI5P10TU	PTH	P	40	100	30	4	4.5	1.05	6.3	70	70	175	I2PAK
FQP5P10	PTH	P	40	100	30	4	4.5	1.05	6.3	70	70	175	TO-220
KQD5P10	SMD	P	25	100	30	4	3.6	1.05	6.3	70	70	150	TO-252