Транзистор FQD6P25TM
FQD6P25TM - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 55 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 21 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 75 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 115 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD6P25TM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQD6P25TF |
SMD |
P |
55 |
250 |
30 |
5 |
4.7 |
1.1 |
21 |
75 |
115 |
150 |
DPAK |
| FQP6P25 |
PTH |
P |
90 |
250 |
30 |
5 |
6 |
1.1 |
21 |
75 |
115 |
150 |
TO-220 |
| FQU6P25TU |
PTH |
P |
55 |
250 |
30 |
5 |
4.7 |
1.1 |
21 |
75 |
115 |
150 |
IPAK |