Транзистор FQD7N30TF
FQD7N30TF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 300 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.7 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 13 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 75 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 100 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD7N30TF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB7N30TM |
SMD |
N |
85 |
300 |
30 |
5 |
7 |
0.7 |
13 |
75 |
100 |
150 |
D2PAK |
| FQD7N30TM |
SMD |
N |
50 |
300 |
30 |
5 |
5.5 |
0.7 |
13 |
75 |
100 |
150 |
DPAK |