Транзистор FQD7P06TF
FQD7P06TF - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 28 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.451 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 6.3 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 50 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 110 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD7P06TF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB7P06TM |
SMD |
P |
45 |
60 |
25 |
4 |
7 |
0.41 |
6.3 |
50 |
110 |
175 |
D2PAK |
| FQD7P06TM |
SMD |
P |
28 |
60 |
25 |
4 |
5.4 |
0.451 |
6.3 |
50 |
110 |
150 |
DPAK |
| FQU7P06TU |
PTH |
P |
28 |
60 |
25 |
4 |
5.4 |
0.451 |
6.3 |
50 |
110 |
150 |
IPAK |