Справочник электронных компонентов

Транзистор FQD7P20

FQD7P20 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 55 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.7 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.69 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 19 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FQD7P20 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FQB7P20	SMD	P	90	200	30	-	7.3	0.69	19	-	-	150	TO-263
FQB7P20TM_F085	SMD	P	90	200	30	-	7.3	0.69	19	-	-	150	TO-263
FQD7P20TF	SMD	P	55	200	30	5	5.7	0.69	19	110	140	150	DPAK
FQD7P20TM	SMD	P	55	200	30	5	5.7	0.69	19	110	140	150	DPAK
FQP7P20	PTH	P	90	200	30	5	7.3	0.69	19	110	140	150	TO-220
FQU7P20TU	PTH	P	55	200	30	5	5.7	0.69	19	110	140	150	IPAK