Транзистор FQD9N25TF
FQD9N25TF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 55 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.42 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 15.5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 105 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 110 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQD9N25TF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB9N25TM |
SMD |
N |
90 |
250 |
30 |
5 |
9.4 |
0.42 |
15.5 |
105 |
110 |
150 |
D2PAK |
| FQD9N25TM |
SMD |
N |
55 |
250 |
30 |
5 |
7.4 |
0.42 |
15.5 |
105 |
110 |
150 |
DPAK |
| FQU9N25TU |
PTH |
N |
55 |
250 |
30 |
5 |
7.4 |
0.42 |
15.5 |
105 |
110 |
150 |
IPAK |