Транзистор FQI11P06TU
FQI11P06TU - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: I2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 53 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.175 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 13 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 40 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 195 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор FQI11P06TU можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB11P06TM |
SMD |
P |
53 |
60 |
25 |
4 |
11.4 |
0.175 |
13 |
40 |
195 |
175 |
D2PAK |