Транзистор FQI12N50TU
FQI12N50TU - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: I2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 179 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.49 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 39 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 120 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 220 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FQI12N50TU можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FQB12N50TM_AM002 |
SMD |
N |
179 |
500 |
30 |
5 |
12.1 |
0.49 |
39 |
120 |
220 |
150 |
D2PAK |
| SIHG14N50D |
PTH |
N |
208 |
500 |
30 |
5 |
14 |
0.4 |
29 |
27 |
100 |
150 |
TO-247AC |
| SIHP14N50D |
PTH |
N |
208 |
500 |
30 |
5 |
14 |
0.4 |
29 |
27 |
100 |
150 |
TO-220AB |
| STB13N80K5 |
SMD |
N |
190 |
800 |
30 |
5 |
12 |
0.45 |
29 |
16 |
50 |
150 |
D2PAK |
| STB15N80K5 |
SMD |
N |
190 |
800 |
30 |
5 |
14 |
0.375 |
32 |
17.6 |
85 |
150 |
D2PAK |
| STP13N80K5 |
PTH |
N |
190 |
800 |
30 |
5 |
12 |
0.45 |
29 |
16 |
50 |
150 |
TO-220 |
| STP15N80K5 |
PTH |
N |
190 |
800 |
30 |
5 |
14 |
0.375 |
32 |
17.6 |
85 |
150 |
TO-220 |
| STW13N80K5 |
PTH |
N |
190 |
800 |
30 |
5 |
12 |
0.45 |
29 |
16 |
50 |
150 |
TO-247 |
| STW15N80K5 |
PTH |
N |
190 |
800 |
30 |
5 |
14 |
0.375 |
32 |
17.6 |
85 |
150 |
TO-247 |
| STW23N85K5 |
PTH |
N |
250 |
850 |
30 |
5 |
19 |
0.275 |
38 |
14 |
115 |
150 |
TO-247 |