Notice: session_start(): ps_files_cleanup_dir: opendir(/tmp) failed: Permission denied (13) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4
Warning: session_start(): Session cache limiter cannot be sent after headers have already been sent (output started at /home/c/ck59960/public_html/common.php:4) in /home/c/ck59960/public_html/common.php on line 4 Транзистор FQI17N08LTU полевой MOSFET, его характеристикиСправочник электронных компонентов
Транзистор FQI17N08LTU
FQI17N08LTU - Транзистор полевой MOSFET структуры N
Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: I2PAK
Основные характеристики:
Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 65 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 16.5 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.1 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 8.8 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 290 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 120 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц